Керамика SiC

Керамика на основе карбида кремния (SiC) все чаще используется в полупроводниковом оборудовании, главным образом потому, что она лучше выдерживает более жесткие условия эксплуатации. При высоких температурах или более агрессивных технологических процессах такие материалы, как кварц или кремний, начинают демонстрировать свои ограничения, и именно здесь обычно вступает в дело SiC. В процессах печного окисления или диффузии детали, такие как лодочки для пластин или лопатки, изготовленные из SiC, служат дольше. Они сохраняют свою форму и не сильно загрязняют окружающую среду даже после длительной работы. По этой причине часто отказываются от кварца, особенно когда требуется слишком частое техническое обслуживание.

Для травления часто выбирают SiC просто потому, что он дольше выдерживает воздействие плазмы. Разница в сроке службы по сравнению с кремниевыми деталями заметна во многих установках, хотя она все еще зависит от конкретного процесса. Это также немного помогает в контроле частиц, который становится более чувствительным по мере уменьшения размеров узлов. SiC также используется в качестве подложки в MOCVD или CVD. В этих случаях речь идет не столько о «прочности», сколько о поддержании стабильного температурного режима. Кроме того, он встречается в деталях камер, таких как облицовка или душевые лейки, а иногда и в компонентах для обработки материалов.