Твердый носитель SiC

Solid SiC Carrier от Semixlab использует в качестве подложки монокристаллический SiC высокой чистоты и формирует наномасштабный защитный слой композита SiC-C на поверхности с помощью запатентованного процесса покрытия, который восстанавливает границу производительности материала-носителя на молекулярном уровне. Его превосходные эксплуатационные характеристики обусловлены уникальной кристаллической структурой SiC и характеристиками ковалентной связи.

Свойства материала

● Чрезвычайно высокая термическая стабильность и термостойкость: SiC демонстрирует превосходную стабильность при высоких температурах и может стабильно работать в окислительной среде до 1600°C, а его температура сублимации может достигать даже около 2700°C. Это делает носители SiC идеальным выбором для высокотемпературного эпитаксиального роста, отжига и других процессов, значительно превосходя допуски традиционных материалов.

● Отличная теплопроводность: Теплопроводность SiC при комнатной температуре достигает 120 Вт/м·К, что в 3 раза больше, чем у кремния (Si). Высокая теплопроводность гарантирует, что пластина на носителе может получить равномерное распределение температуры в высокотемпературных процессах, тем самым гарантируя однородность качества роста эпитаксиального слоя и уменьшая коробление и напряжение.

● Отличная механическая прочность и твердость: SiC имеет чрезвычайно высокую твердость (твердость по Моосу 9.0-9.5, твердость по Виккерсу 32 ГПа), уступающую только алмазу, а также высокий модуль Юнга (440 ГПа) и высокую прочность на изгиб (490 МПа). Это делает носитель SiC чрезвычайно устойчивым к износу и деформации при механическом ударе и высокоинтенсивной обработке, эффективно продлевая срок его службы.

Почему стоит выбрать твердотельный носитель SiC от Semixlab?

● Возможности НИОКР и производства: Semixlab имеет 2 центра НИОКР, 2 производственные базы, 12 производственных линий, более 150 сотрудников, а инвестиции в НИОКР составляют более 30%. Компания имеет возможность производить десятки тысяч изделий из SiC ежегодно.

● Технические преимущества: независимая разработка оборудования и формул CVD, поддержка высокочистых покрытий CVDSiC, TaC и других покрытий, а также твердых материалов SiC, точность управления ЧПУ может достигать 3 мкм, содержание золы составляет менее 5 ppm, а эксплуатационные характеристики продукта являются ведущими в отрасли.

● Комплексная система поставок: Semixlab имеет независимую линию синтеза материалов из карбида кремния и платформу прецизионной обработки с ЧПУ, которая может обеспечивать размеры от Ø4" до Ø12" и индивидуальные размеры, поддерживает быструю доставку и адаптируется к основным брендам оборудования, таким как Veeco, AIXTRON и Applied Materials.

● Индивидуализация и комплексное обслуживание: в соответствии с потребностями клиентов мы можем предоставить услуги полного цикла, от выбора материалов, НИОКР, пилотного проекта до массового производства, чтобы удовлетворить различные потребности в производстве высокотехнологичных полупроводников.

● Международный рынок и клиентская база: Semixlab наладила долгосрочное сотрудничество с более чем 30 заказчиками в сфере производства пластин и полупроводниковых соединений в стране и за рубежом, включая производителей мини-светодиодов, силовых устройств на основе SiC, MEMS и радиочастотных устройств.

Твердый носитель SiC стал ключевым расходным материалом в областях эпитаксии полупроводников, упаковки, силовых устройств и т. д. благодаря своим превосходным свойствам материала и производительности процесса. Semixlab — надежный партнер, который предоставляет высококачественные и эффективные решения для носителей SiC для глобальных клиентов благодаря своим мощным возможностям в области НИОКР, производства и настройки.

Конкретные применения в производстве полупроводников

Превосходные характеристики твердого носителя SiC делают его незаменимым в различных ключевых процессах производства полупроводников, особенно подходящим для соединений с чрезвычайно высокими требованиями к температуре, чистоте, однородности и механической стабильности. Обычные сценарии применения следующие:

1. Эпитаксия

Эпитаксия MOCVD: носитель SiC является основным компонентом роста пленок GaN, GaAs, SiC и других полупроводниковых соединений в оборудовании MOCVD, таком как носители цилиндрического и плоского токоприемников. Его высокая теплопроводность обеспечивает однородность температуры в реакционной камере, что имеет решающее значение для однородности толщины пленки, состава и легирования; его высокая чистота и химическая инертность эффективно предотвращают загрязнение примесями и обеспечивают электрические и оптические свойства эпитаксиального слоя, особенно при производстве светодиодов, силовой электроники и радиочастотных устройств.

Эпитаксия SiC: В производстве силовых устройств SiC носители SiC являются идеальными платформами для эпитаксиального роста пластин SiC. Коэффициент теплового расширения, который идеально соответствует коэффициенту теплового расширения пластин SiC, эффективно снижает напряжение, вызванное изменениями температуры в процессе эпитаксии, тем самым снижая уровень дефектов и улучшая качество эпитаксиального слоя.

Эпитаксия на основе кремния: в современных кремниевых процессах носители SiC также могут использоваться в определенных процессах кремниевой эпитаксии, которые требуют более высоких требований к однородности температуры и чистоте.

2. отжиг

Высокотемпературный активационный отжиг: После ионной имплантации носители SiC используются в процессах высокотемпературного отжига кремниевых или SiC-пластин для активации имплантированных легирующих примесей и восстановления повреждений решетки. Высокотемпературная стабильность и равномерная нагревательная способность носителей SiC обеспечивают эффективность процесса отжига и целостность пластины.

Носители RTP (быстрого термического отжига): в оборудовании для быстрого термического отжига носители SiC могут выдерживать жесткие термические циклы быстрого нагрева и охлаждения и сохранять структурную стабильность, что подходит для сложных процессов, таких как мгновенный отжиг.

3. Ионная имплантация

Носители для легирования и ремонта: носители SiC используются для фиксации пластин во время ионной имплантации. Их высокая механическая прочность и износостойкость обеспечивают стабильность при бомбардировке ионным пучком. В то же время их низкие характеристики генерации частиц также снижают загрязнение во время процесса имплантации.

4. Другие приложения

Процесс травления: В некоторых процессах травления ICP (индуктивно-связанная плазма) или травления PSS (травление узорчатой ​​сапфировой подложки) носители SiC используются в качестве фиксирующих приспособлений или подложек для пластин из-за их устойчивости к плазменной коррозии и низких характеристик частиц.

Трубчатые печи/лодочки высокой чистоты: в некоторых диффузионных или окислительных печах высокой чистоты материалы SiC также изготавливаются в трубчатых печах или пластинчатых лодочках для обеспечения чрезвычайно чистой технологической среды.