Высокочистый пористый графит
Высокочистый пористый графит от Semixlab — это высокоэффективный материал, разработанный для передовых процессов производства полупроводников, включая эпитаксию, диффузию и окисление, а также CVD. Благодаря сверхнизкому содержанию примесей и тщательно контролируемой пористой микроструктуре, он обеспечивает превосходную термическую однородность, химическую стабильность и контроль загрязнения в условиях экстремально высоких температур. Широко используемый в подложках, держателях пластин, нагревателях и компонентах камер, пористый графит от Semixlab поддерживает стабильную технологическую среду, повышает стабильность выхода годной продукции и продлевает срок службы оборудования в полупроводниковых технологиях на основе кремния, SiC и GaN. Мы будем рады ответить на ваши вопросы.
Описание
Высокочистый пористый графит является важнейшим материалом для передового производства полупроводников, где его исключительная термическая стабильность, сверхнизкий уровень загрязнения и стабильность технологического процесса имеют первостепенное значение. Решения Semixlab на основе высокочистого пористого графита специально разработаны для высокотемпературных и чувствительных к загрязнениям полупроводниковых процессов.
В процессах эпитаксии высокочистый пористый графит широко используется в ключевых компонентах, таких как держатели подложек, подложки, газораспределительные структуры и элементы теплового поля. Во время эпитаксиального роста Si, SiC и GaN точная равномерность температуры и стабильный поток газа являются критически важными факторами для контроля толщины пленки, равномерности легирования и подавления дефектов. Пористая микроструктура графита Semixlab обеспечивает более равномерное распределение тепла и контролируемую диффузию газа по поверхности подложки, тем самым уменьшая нестабильность пограничного слоя и краевые эффекты.
В процессах диффузии и окисления, требующих длительной работы при температурах выше 1000 °C, высокочистый пористый графит служит надежным конструкционным и опорным материалом для корпусов пластин, облицовочных материалов и теплоизоляционных компонентов. По сравнению с плотным графитом, его пористая структура снижает термическое напряжение и деформацию при многократных термических циклах, повышая стабильность размеров и продлевая срок службы компонентов. Присущая ему химическая инертность и низкое содержание примесей помогают поддерживать чистоту технологической среды, обеспечивая строгий контроль над профилями диффузии легирующих примесей и качеством оксидной пленки, минимизируя при этом риски образования частиц и перекрестного загрязнения.
В процессах CVD, LPCVD и PECVD высокочистый пористый графит играет решающую роль в нагревателях, держателях пластин и внутренних компонентах камер, подверженных воздействию реактивных газов и высоких температур. Превосходная теплопроводность материала обеспечивает быструю и равномерную передачу тепла, а его пористая структура позволяет контролируемо улавливать побочные продукты осаждения, минимизируя отслаивание и выделение частиц во время длительной работы оборудования. Это напрямую способствует повышению стабильности процесса, увеличению интервалов технического обслуживания и повышению времени безотказной работы оборудования.
Высокочистый пористый графит Semixlab производится в соответствии со строгой системой контроля качества, с тщательным управлением выбором сырья, его очисткой и микроструктурным проектированием. Когда требуется длительный срок службы или работа в более сложных химических средах, этот продукт совместим с передовыми защитными покрытиями, такими как SiC или TaC. Благодаря исключительной гибкости конструкции, обрабатываемости и передовой технологии нанесения полупроводниковых покрытий, наши решения могут быть точно адаптированы к конкретным требованиям вашей платформы полупроводникового оборудования и технологического процесса. Мы искренне надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.
Характеристики
| Типичные физические свойства пористого графита | |
| Требуемое | Параметр |
| насыпная плотность | 0.89 г / см2 |
| прочность на сжатие | 8.27 МПа |
| Прочность на изгиб | 8.27 МПа |
| Прочность на разрыв | 1.72 МПа |
| Удельное сопротивление | 130 Ом-дюйм x 10-5 |
| Пористость | 50%. |
| Средний размер пор | 70um |
| Теплопроводность | 12Вт/М*К |
Услуги

Магазин продукции Semixlab


EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ




