Все Категории
Graphite
Высокочистый пористый графит
Высокочистый пористый графит

Высокочистый пористый графит


Высокочистый пористый графит от Semixlab — это высокоэффективный материал, разработанный для передовых процессов производства полупроводников, включая эпитаксию, диффузию и окисление, а также CVD. Благодаря сверхнизкому содержанию примесей и тщательно контролируемой пористой микроструктуре, он обеспечивает превосходную термическую однородность, химическую стабильность и контроль загрязнения в условиях экстремально высоких температур. Широко используемый в подложках, держателях пластин, нагревателях и компонентах камер, пористый графит от Semixlab поддерживает стабильную технологическую среду, повышает стабильность выхода годной продукции и продлевает срок службы оборудования в полупроводниковых технологиях на основе кремния, SiC и GaN. Мы будем рады ответить на ваши вопросы.

Описание

Высокочистый пористый графит является важнейшим материалом для передового производства полупроводников, где его исключительная термическая стабильность, сверхнизкий уровень загрязнения и стабильность технологического процесса имеют первостепенное значение. Решения Semixlab на основе высокочистого пористого графита специально разработаны для высокотемпературных и чувствительных к загрязнениям полупроводниковых процессов.

В процессах эпитаксии высокочистый пористый графит широко используется в ключевых компонентах, таких как держатели подложек, подложки, газораспределительные структуры и элементы теплового поля. Во время эпитаксиального роста Si, SiC и GaN точная равномерность температуры и стабильный поток газа являются критически важными факторами для контроля толщины пленки, равномерности легирования и подавления дефектов. Пористая микроструктура графита Semixlab обеспечивает более равномерное распределение тепла и контролируемую диффузию газа по поверхности подложки, тем самым уменьшая нестабильность пограничного слоя и краевые эффекты.

В процессах диффузии и окисления, требующих длительной работы при температурах выше 1000 °C, высокочистый пористый графит служит надежным конструкционным и опорным материалом для корпусов пластин, облицовочных материалов и теплоизоляционных компонентов. По сравнению с плотным графитом, его пористая структура снижает термическое напряжение и деформацию при многократных термических циклах, повышая стабильность размеров и продлевая срок службы компонентов. Присущая ему химическая инертность и низкое содержание примесей помогают поддерживать чистоту технологической среды, обеспечивая строгий контроль над профилями диффузии легирующих примесей и качеством оксидной пленки, минимизируя при этом риски образования частиц и перекрестного загрязнения.

В процессах CVD, LPCVD и PECVD высокочистый пористый графит играет решающую роль в нагревателях, держателях пластин и внутренних компонентах камер, подверженных воздействию реактивных газов и высоких температур. Превосходная теплопроводность материала обеспечивает быструю и равномерную передачу тепла, а его пористая структура позволяет контролируемо улавливать побочные продукты осаждения, минимизируя отслаивание и выделение частиц во время длительной работы оборудования. Это напрямую способствует повышению стабильности процесса, увеличению интервалов технического обслуживания и повышению времени безотказной работы оборудования.

Высокочистый пористый графит Semixlab производится в соответствии со строгой системой контроля качества, с тщательным управлением выбором сырья, его очисткой и микроструктурным проектированием. Когда требуется длительный срок службы или работа в более сложных химических средах, этот продукт совместим с передовыми защитными покрытиями, такими как SiC или TaC. Благодаря исключительной гибкости конструкции, обрабатываемости и передовой технологии нанесения полупроводниковых покрытий, наши решения могут быть точно адаптированы к конкретным требованиям вашей платформы полупроводникового оборудования и технологического процесса. Мы искренне надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Характеристики
Типичные физические свойства пористого графита
Требуемое Параметр
насыпная плотность 0.89 г / см2
прочность на сжатие 8.27 МПа
Прочность на изгиб 8.27 МПа
Прочность на разрыв 1.72 МПа
Удельное сопротивление 130 Ом-дюйм x 10-5
Пористость 50%.
Средний размер пор 70um
Теплопроводность 12Вт/М*К
Услуги

Магазин продукции Semixlab

не определено

ЗАПРОС

Горячие категории