Пластина SiC для травления ICP

Требования к функциям: Оптимизировано для требовательных плазменных сред

Чтобы соответствовать строгим требованиям сред травления ICP, пластина SiC должна обладать следующими основными характеристиками:

● Отличная теплопроводность

SiC имеет чрезвычайно высокую теплопроводность, намного превосходящую теплопроводность традиционных материалов, таких как кварц или оксид алюминия. Это означает, что он может эффективно отводить тепло, выделяемое в процессе травления, от пластины, эффективно предотвращая локальный перегрев.

Бенефиты: Обеспечивает равномерную температуру по всей поверхности пластины, что обеспечивает высокую постоянную глубину травления и контроль критических размеров (CD), значительно повышая выход годных и сокращая количество брака пластин.

● Превосходная стойкость к плазменному удару

В плазменной среде травления ICP материал будет подвергаться бомбардировке ионами высокой энергии и химической коррозии активных свободных радикалов. SiC обладает превосходной стойкостью к плазме, особенно в травильных газах, содержащих фтор или хлор.

Бенефиты: Значительно продлевает срок службы держателя пластины, снижает частоту замены и время простоя, тем самым снижая эксплуатационные расходы и улучшая использование оборудования. В то же время стабильные свойства материала также снижают риск загрязнения частицами.

● Исключительная однородность температуры

В сочетании с высокой теплопроводностью и низким коэффициентом теплового расширения носители SiC способны поддерживать превосходную однородность температуры по всей поверхности пластины. Это имеет решающее значение для точного травления, особенно для чувствительных материалов, таких как GaN.

Бенефиты: Обеспечьте единообразие травления для каждого устройства, сведите к минимуму колебания производительности устройств и обеспечьте высочайшее качество и надежность ваших светодиодных изделий.

Эти эксплуатационные характеристики имеют решающее значение для достижения повторяемости и точности травления при изготовлении светодиодных пластин.

Почему стоит выбрать Semixlab: индивидуальные решения. Проверенное качество.

Выбирая Semixlab, вы выбираете производительность, надежность и индивидуальные услуги:

1. Доступны различные спецификации и предоставляются индивидуальные услуги:

Мы хорошо знаем, что различное оборудование и процессы травления ICP имеют уникальные требования к размеру носителя пластины, положению отверстия и методу зажима. Semixlab предоставляет различные стандартные спецификации носителей пластин SiC для удовлетворения потребностей основного рынка.

Что еще важнее, мы предоставляем профессиональные услуги по настройке. Если вам нужны специальные размеры, сложные структурные конструкции или оптимизация для определенных процессов, наша инженерная команда может тесно сотрудничать с вами, чтобы предоставить индивидуальные решения. Это означает, что вы можете получить носитель, который идеально соответствует вашему оборудованию и процессу, максимизируя эффективность производства и выход.

2. Стабильное качество и быстрая доставка

Наша строгая система контроля качества обеспечивает единообразие партий, а эффективное производство и логистика гарантируют быстрые сроки поставки, помогая вам соблюдать жесткие производственные графики.

Доверьтесь Semixlab — вашему партнеру по материалам SiC в области современного плазменного травления

Обладая многолетним опытом работы в отрасли нанесения покрытий на полупроводники, компания Semixlab сочетает глубокие познания в области материалов, передовые технологии обработки и ориентированное на клиента обслуживание для поставки компонентов, которые повышают стабильность процесса и качество продукции.

Применение: Разработано для травления методом ИСП в светодиодной промышленности.

В передовом процессе производства светодиодов травление ICP (индуктивно связанной плазмой) является критически важным этапом для достижения точного микрорисунка на полупроводниковых пластинах. Пластина SiC от Semixlab выполняет функцию высоконадежного носителя или держателя пластины во время процесса травления ICP. Ее прочные свойства материала обеспечивают стабильность процесса даже в экстремальных плазменных условиях, что делает ее важным компонентом для высокопроизводительных, высокооднородных линий производства светодиодов.