Лодочка из высокочистого SiC

Лодочка из высокочистого карбида кремния (SiC) — это высокопроизводительный керамический носитель, предназначенный для высокотемпературных полупроводниковых процессов, выращивания кристаллов и прецизионной термообработки. Она спечена с материалом SiC сверхвысокой чистоты и обладает превосходной устойчивостью к высоким температурам, стойкостью к тепловому удару и химической стабильностью. Она широко используется в диффузии полупроводников, химическом осаждении из газовой фазы, светодиодной эпитаксии и фотоэлектрическом росте монокристаллов.

Применение:

Лодочка из высокочистого SiC является ключевым расходным материалом для полупроводниковых процессов, в основном используется для переноса и передачи пластин в высокотемпературных средах и широко применяется в процессах диффузии, окисления, отжига и химического осаждения из газовой фазы кремниевых пластин. Она особенно подходит для высокотемпературных процессов полупроводников третьего поколения (таких как SiC/GaN) и силовых устройств.

Услуги, которые могут быть предоставлены:

анализ сценариев применения у клиентов, сопоставление материалов, решение технических проблем.

Профиль Компании:

В Semixlab есть 2 лаборатории, команда экспертов с 20-летним опытом работы с материалами, а также возможности для НИОКР, производства, испытаний и проверки.

Технические параметры

Основные области применения

Подтверждение проверки экологической цепочки

Экологическая цепочка проверки Semixlab High-Purity SiC Boat охватывает весь процесс от сырья до производства, прошла сертификацию по международным стандартам и имеет ряд запатентованных технологий, гарантирующих ее надежность и устойчивость в области полупроводников и новой энергетики.

Типичный процесс подачи заявления

Подготовка сырья (высокочистый порошок SiC) → Процесс формования (сухое прессование/изостатическое прессование) → Процесс спекания → Обработка и отделка поверхности (шлифовка/полировка с ЧПУ, химическое травление, отжиг) → Очистка и покрытие CVD → Контроль качества → Упаковка

Благодаря передовой оптимизации параметров процесса уникальная структурная конструкция Semixlab High-Purity SiC Boat обеспечивает превосходную стабильность пластины, при этом значительно снижая риск загрязнения частицами. Срок службы может достигать 5-8 раз больше, чем у традиционных кварцевых лодочек, что делает ее идеальным решением для переноса при высокотемпературной обработке пластин. Это нововведение позволяет ей постепенно заменять импорт на рынке полупроводников, предоставляя высокопроизводительное и экономически эффективное решение для внутреннего рынка.

Для получения подробных технических спецификаций, официальных документов или организации испытаний образцов свяжитесь с нашей службой технической поддержки, чтобы узнать, как Semixlab может повысить эффективность вашего процесса.

Преимущества лодочного сердечника Semixlab High-Purity SiC

1. Исключительная чистота (ключевое преимущество)

Лодочка Semixlab High-Purity SiC имеет сверхвысокую чистоту (≥99.9999%), а содержание примесей (Fe, Al, Na и т. д.) контролируется на уровне 1 ppm, чтобы избежать загрязнения пластин или эпитаксиальных материалов, что особенно подходит для производства полупроводников SiC/GaN.

2. Химическая инертность (коррозионная стойкость)

Устойчив к кислотной, щелочной/плазменной эрозии и может противостоять едким газам, таким как HF, HCl, H2 (например, в процессах травления полупроводников). Отсутствие выделения газа при высоких температурах.

3. Механическая прочность и срок службы

Сверхвысокая твердость, отличная износостойкость, снижает риск осыпания частиц и продлевает срок службы (обычно в 3–5 раз больше, чем у кварцевой лодочки). Нелегко деформируется при высоких температурах, сохраняя плоскостность пластины (например, коробление в диффузионной печи <0.1 мм).

4. Совместимость процессов

Адаптируется к различным суровым условиям, окислительно-восстановительным атмосферам (например, O2, H2, Ar) и процессам покрытия CVD/PVD. Поверхность может быть настроена, например, полирована (Ra<0.1 мкм) или покрыта (например, SiO2) для дальнейшего снижения загрязнения.